As duas fabricantes anunciaram um novo design, onde empilham transístores em altura, que promete levar a chips mais eficientes, ultrapassando limitações de desempenho
A IBM e a Samsung apresentaram na conferência IEDM em São Francisco uma nova forma de arrumar transístores num chip, empilhando-os em altura, em detrimento da abordagem atual em que estes são colocados lado a lado no silício. Com a VTFET (de Vertical Transporte Field Effect Transistors), propõe-se arrumar os transístores na vertical, com a corrente a fluir na vertical também.
Esta abordagem, segundo os investigadores das duas empresas, tem a vantagem de causar menos desperdício de energia, tornando o chip mais eficiente e ainda permite ultrapassar algumas limitações de desempenho sentidas atualmente. A expetativa das equipas é criar processadores que sejam duas vezes mais rápidos que os atuais ou que usem 85% menos energia que os transístores FinFET, noticia o Engadget.
Entre as aplicações em cenário real, os investigadores anteveem smartphones com baterias que durem uma semana com uma única carga e processadores capazes de realizar tarefas intensivas, como a mineração de cibermoeda, de uma forma mais amiga do ambiente, mais eficiente e, consequentemente, com menos impacto nas alterações climáticas. As melhorias de performance ou de bateria não devem ser possíveis ao mesmo tempo, acontecendo apenas uma de cada vez.
Ainda não há qualquer expetativa de quando é este design de chips possa chegar ao mercado.
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